Dalrate.ru

Построение рабочей локальной сети

Схема путевого генератора ГПУ САУТ-ЦМ

Таким образом, схема ВКОНТ осуществляет полный контроль исправного функционирования генератора ГПУ-САУТ-ЦМ: уровень тока шлейфа (DA5.2), контроль кода (DD3 платы A3, DA8), контроль частоты (DA6) - в путевом шлейфе должна присутствовать только одна из двух частот: 19,6 или 13,07 кГц.

Источник вторичного электропитания (ИВЭП) преобразует переменное напряжение 220В в стабилизированное постоянное напряжение 5В для питания логических микросхем, а также в нестабилизированное постоянное напряжение 25В, использующееся в выходных трансформаторных цепях генератора.

Источник вторичного электропитания выполнен аналогично существующему в эксплуатируемых генераторах. Трансформатор напряжения TV1 преобразует переменное напряжение сети 220В в переменное напряжение 25 В, которое после выпрямления диодами VD28-VD31 и сглаживания конденсаторами С18, С20 подается для питания выходного каскада генератора. С обмотки W4 трансформатора TV1 после выпрямления диодным мостом VD35 и сглаживания емкостями С41, С42 напряжение +12 В подаётся на вход 17 микросхемы стабилизации DA7, на выходе 2 которой формируется постоянное напряжение +5 В для питания всех микросхем генератора. Конденсаторы С22-С24 используются для Защиты микросхемы от импульсных бросков напряжения по входу и выходу. Кроме того, с обмотки W3 трансформатора TV1 снимаемая часть напряжения выпрямляется диодом VD32, сглаживается конденсаторами С19, С21 и подается на клемму «Код» разъема ХЗ, которое используется в генераторе для питания входных цепей оптронов через замкнутый контакт peлe СЦБ. Диоды VD33, VD34 используются для стабилизации напряжения 12 В.

Трансформатор тока ТАЗ используется в схеме проверки кода шлейфа БПР.

Варисторы R66, R70, R73, R83, R84, R116, R117 используются для защиты внутренних цепей генератора от перенапряжения со стороны внешних цепей (шлейфа), возникающих при грозовых разрядах.

На плате A3 расположена схема проверки кода (БПР), передаваемого в шлейф. Сигнал шлейфа, снимаемый с обмотки трансформатора тока ТАЗ, подаётся на вход схемы выделения огибающей кодированного сигнала, выполненной на элементах DD1, DD2 (плата A3). Кодированный сигнал поступает на базу транзистора VТ12 (плата А2), работающего в ключевом режиме. Транзистор используется для согласования уровней входных сигналов с уровнями ТТЛ-логики, а инвертор DD1.2 (плата A3) осуществляет спрямление фронтов кодированной последовательности. На элементах DD1.1, DD1.3, резисторах R1, R2, конденсаторе С1 выполнен внутренний генератор, управляющий работой двоичных счетчиков DD2.1, DD2.2. Его частота составляет приблизительно 80 кГц, что в 4 раза выше несущей частоты кодированного сигнала 19,6 кГц и позволяет застраховать схему от импульсных помех и четко фиксировать интервал между импульсными последовательностями. При включении питания генератора с приходом 8-го импульса от внутреннего генератора счетчик DD2.1 останавливается и по входу R сбрасывает счётчик DD2.2. В этом состоянии схема находится до прихода кодируемого сигнала. При поступлении кода счётчик DD2.1 сбрасывается по входу R на каждом импульсе несущей частоты кодированного сигнала, что не позволяет счётчику DD2.1 заполняться до конца, а счётчик DD2.2 после снятая запрета по входу R заполняется и устанавливается в единичное состояние. В длинных интервалах кодированного сигнала счётчик DD2.1 заполняется и по входу R сбрасывает счётчик DD2.2. Таким образом, на выходе «8» счётчика DD2.2 импульсами положительной полярности фиксируются внешние границы последовательностей несущей частоты кодированного сигнала, следовательно, фиксируется его огибающая. Перейти на страницу: 1 2 3 4 5

Популярное:

Разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине Проектирование интегральных микросхем Целью данной дипломной работы является разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине «Проектирование интегральных микросхем». Данный пакет предназначен для изучения студентами: технологии полупроводниковых интегральных микросхем на биполярных транзисторах; основных принципов проектирования полупро ...