Dalrate.ru

Построение рабочей локальной сети

Характеристики материалов и структура ППИС

Изменяя определенным образом концентрацию примесей в различных частях монокристаллической полупроводниковой пластины, можно получить многослойную структуру, воспроизводящую заданную электрическую функцию и до известной степени эквивалентную обычному дискретному резистору, диоду или транзистору.

Далее при рассмотрении характеристик диффузионных резисторов в качестве акцепторной примеси рассматриваются бор и фосфор и сурьма - как донорная примесь. В качестве изолирующего диэлектрика применяется двуокись кремния SiO2, которая в свою очередь характеризуется следующим:

. образует равномерное, сплошное, прочное покрытие на поверхности монокристаллического кремния; допускает строгий контроль толщины и имеет коэффициент термического расширения, примерно равный такому же коэффициенту кремния;

. защищает кремний от диффузии;

. является изоляционным материалом с достаточной величиной диэлектрической постоянной;

. легко стравливается или удаляется с локальных участков;

. обеспечивает защиту поверхности кремния.

В полупроводниковых МС межэлементные связи осуществляются с помощью плёночных проводников. Материалы проводников должны обеспечивать низкоомный контакт к кремниевым электродам, обладать хорошим сцеплением с диэлектриком и кремнием, быть металлургически совместимым с материалами, которые применяются для присоединения внешних выводов к контактным площадкам. Основными материалами при получении соединений для полупроводниковых ИМС является золото и алюминий. В некоторых случаях находят применения никель, хром, серебро.

Основным недостатком золота является не только его высокая стоимость, но и его плохая адгезия к плёнке двуокиси кремния. Поэтому в качестве материала для разводки и контактных площадок чаще применяется алюминий, который обладает хорошей адгезией к кремнию и его оксиду, хорошей электропроводностью, легко наносится на поверхность ИМС в виде тонкой плёнки, меньшей стоимостью. В качестве внешних выводов применяют золотую проволоку, поскольку алюминий характеризуется пониженной механической прочностью.

Необходимо отметить, что одним из критериев выбора материала для подложки являются определенные требования, предъявляемые к подложкам в течение всего процесса изготовления микросхемы. Электрофизические характеристики монокристаллических полупроводниковых пластин и их кристаллографическая ориентация должны обеспечивать получение микросхем с заданными свойствами. Исходя из этого, на этапе проектирования выбирают необходимую ориентацию и марку полупроводникового материала, а в процессе изготовления пластин выполняют контроль кристаллографической ориентации и основных электрофизических параметров. В случае необходимости пластины классифицируют по значениям электрофизических параметров. Основные требования к пластинам кремния представлены в Приложении.

биполярный транзистор диффузионный резистор Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 

Популярное:

Исследование устойчивости алгоритмов приема к изменению помехи При реализации процедур обнаружения или различения сигналов результатом обработки должно быть принятие соответствующего решения. Так, в случае обнаружения необходимо принять решение относительно того, присутствует ли в сигнале , поступающем на вход устройства обработки, полезный сигнал или же представляет собой только помеху. При ...